国中投资企业|国中资本投资第三代半导体企业宽能半导体

浏览:339次      发布时间:2022-08-03

近日,第三代半导体企业南京宽能半导体有限公司(以下简称“宽能半导体”)宣布完成超2亿元天使轮融资。本轮融资由国中资本联合和利资本、渶策资本、云启资本、毅达资本、金浦投资、亚昌投资、君盛投资、富华投资等共同投资。投中资本担任天使轮财务顾问。本轮融资完成后,宽能半导体将加快国内最大的碳化硅半导体晶圆厂的建设进程。


宽能半导体是一家碳化硅功率器件研发生产商,公司核心团队包括多名国际一流的碳化硅半导体工艺和制造专家,掌握碳化硅器件全工艺流程核心技术,并具备20年以上相关产品量产经验。宽能半导体的首条产线已落地南京,正在建设中,建成后将成为国内最大的碳化硅半导体晶圆厂。


宽能半导体深耕功率半导体器件代工领域,为国内外半导体设计公司和IDM厂商提供高良率、高品质且具竞争力的产品。公司的自有标准工艺平台可协助客户迅速导入量产,促进工艺技术迭代。同时,公司支持新产品开发,提供客制化工艺服务,公司还具备沟槽型MOSFET工艺。目前,全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺,仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构,器件结构的技术壁垒将为公司产品带来成本和性能上的优势。


根据 Yole 预测,到 2025 年新能源汽车将是碳化硅功率器件最主要的应用。随着新能源汽车销量的快速提升,碳化硅功率器件在电机驱动、OBC、DC/DC等部件中的应用还将为其打开更加广阔的市场。全球电动汽车领导者特斯拉已在Model 3上使用碳化硅MOSFET作为其马达逆变器解决方案,以取代传统硅基IGBT。预计未来,新能源汽车上碳化硅MOSFET的需求量将远超于碳化硅二极管,无法生产高良率碳化硅MOSFET的器件厂将失去市场。而器件制造作为碳化硅产业链的重要环节,对产品的良率和性能起到决定性作用。


国中资本执行总经理李程晟表示:“在SiC晶圆代工领域,全球仅有美国XFAB、台湾汉磊以及华大半导体旗下的积塔半导体,晶圆代工厂的国内竞争较为蓝海。宽能核心团队包括多名国际一流大厂的第三代半导体工艺和制造专家,具备15年以上相关产品量产经验。SiC晶圆制造门槛高,全球相关人才稀缺,未来10年碳化硅优质代工产能会持续吃紧。因此,我们对宽能半导体的发展潜力充满信心。我们还将进一步深入SiC产业链的研究,在SiC领域持续深耕布局投资。”


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